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ZXMN6A11DN8TA
器件3D模型
0.233
ZXMN6A11DN8TA 数据手册 (8 页)
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ZXMN6A11DN8TA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
2.70 A
封装
SOIC-8
针脚数
8 Position
漏源极电阻
0.18 Ω
极性
Dual N-Channel
功耗
2.1 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
2.70 A
上升时间
3.5 ns
输入电容值(Ciss)
330pF @40V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
4.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1.8 W

ZXMN6A11DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A11DN8TA 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 0.63 MByte
Diodes(美台)
293 页 / 0.91 MByte
Diodes(美台)
8 页 / 0.51 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXMN6A11DN8 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN6A11DN8 系列 双 60 V 0.12 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
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