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ZXMN6A25K
0.517
ZXMN6A25K 数据手册 (8 页)
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ZXMN6A25K 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
10.7 A
封装
TO-252-3
极性
N-CH
功耗
2.11W (Ta)
输入电容
1.06 nF
栅电荷
20.4 nC
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
10.7 A
上升时间
4.00 ns
输入电容值(Ciss)
1063pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
2.11 W
耗散功率(Max)
2.11W (Ta)

ZXMN6A25K 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN6A25K 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
8 页 / 0.78 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
1 页 / 0.14 MByte

ZXMN6A25 数据手册

Diodes(美台)
N沟道 60V 7A
Diodes(美台)
ZXMN6A25DN8TA 编带
Diodes(美台)
ZXMN6A25GTA 编带
Diodes(美台)
Vishay Semiconductor(威世)
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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