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ZXMN7A11G
0.55
ZXMN7A11G 数据手册 (8 页)
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ZXMN7A11G 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-223
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.13 Ω
功耗
3.9 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
70 V
工作温度(Max)
150 ℃

ZXMN7A11G 数据手册

Diodes(美台)
8 页 / 1.02 MByte

ZXMN7A11 数据手册

Diodes(美台)
ZXMN7A11G 系列 70 V 0.13 Ohm N-沟道 增强模式 MOSFET - SOT-23-3
Diodes(美台)
N沟道 70V 4.2A
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXMN7A11G  晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 130 mohm, 10 V, 1 V
Zetex
ZXMN7A11KTC N沟道MOSFET 70V 6.1A TO-252/D-PAK marking/标记 ZXMN7A11 高速开关/低导通电阻
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 70 V, 0.13 ohm, 10 V, 1 V
Diodes Zetex(捷特科)
N 沟道 MOSFET,40V 至 90V,Diodes Inc### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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