￥ 0.274

ZXMN7A11GTA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOT-223-3

描述:

ZXMN7A11G 系列 70 V 0.13 Ohm N-沟道增强模式 MOSFET - SOT-23-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMN7A11GTA 数据手册 (5 页)

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ZXMN7A11GTA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

70.0 V

额定电流

3.80 A

封装

SOT-223-3

极性

N-CH

功耗

3.9 W

输入电容

298 pF

栅电荷

4.35 nC

漏源极电压(Vds)

70 V

连续漏极电流(Ids)

3.80 A

上升时间

2 ns

输入电容值(Ciss)

298pF @40V(Vds)

额定功率(Max)

2 W

下降时间

5.8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3900 mW

ZXMN7A11GTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.7 mm

宽度

3.7 mm

高度

1.65 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMN7A11GTA 符合标准

ZXMN7A11GTA 概述

ZXMN7A11GTA 数据手册

ZXMN7A11GTA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

5 页 / 0.22 MByte

ZXMN7A11GTA 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 1.02 MByte

ZXMN7A11GTA 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.4 MByte

ZXMN7A11GTA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZXMN7A11 数据手册

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