器件3D模型

￥ 0.387

ZXMP6A16DN8TA 数据手册 - Diodes（美台）

制造商:

Diodes（美台）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

ZXMP6A16 系列 60 V 0.085 Ohm 双通道 P 沟道增强模式 MOSFET - SOIC-8

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

ZXMP6A16DN8TA 数据手册 (183 页)

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ZXMP6A16DN8TA 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-3.70 A

封装

SOIC-8

漏源极电阻

125 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.15 W

漏源极电压(Vds)

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

3.90 A

上升时间

4.1 ns

输入电容值(Ciss)

1021pF @30V(Vds)

额定功率(Max)

1.25 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.81 W

ZXMP6A16DN8TA 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP6A16DN8TA 符合标准

ZXMP6A16DN8TA 数据手册

ZXMP6A16DN8TA 其他数据使用手册

Diodes（美台）

183 页 / 0.63 MByte

ZXMP6A16DN8TA 开发手册

Diodes（美台）

8 页 / 0.4 MByte

ZXMP6A16DN8TA 产品封装文件

Diodes（美台）

8 页 / 0.14 MByte

ZXMP6A16DN8TA 其他参考文件

Diodes（美台）

1 页 / 0.15 MByte

ZXMP6A16DN8 数据手册

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