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ZXMP6A16DN8TC
器件3D模型
0.293

ZXMP6A16DN8TC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
极性
P-CH
功耗
1.25 W
漏源极电压(Vds)
60 V
连续漏极电流(Ids)
3.9A
上升时间
4.1 ns
输入电容值(Ciss)
1021pF @30V(Vds)
额定功率(Max)
1.25 W
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
2150 mW

ZXMP6A16DN8TC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXMP6A16DN8TC 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.18 MByte

ZXMP6A16DN8 数据手册

Diodes(美台)
Diodes(美台)
ZXMP6A16 系列 60 V 0.085 Ohm 双通道 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8
Diodes(美台)
Diodes(美台)
场效应管(MOSFET) ZXMP6A16DN8TC SO-8
Diodes Zetex(捷特科)
P 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
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