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ZXMS6005DGQTA
0.472
ZXMS6005DGQTA 数据手册 (9 页)
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ZXMS6005DGQTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
TO-261-4
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
60 V
输出电流(Max)
2 A

ZXMS6005DGQTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)

ZXMS6005DGQTA 数据手册

Diodes(美台)
9 页 / 0.24 MByte

ZXMS6005 数据手册

Diodes(美台)
ZXMS6005SGTA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005DGTA SOT-223-3
Diodes(美台)
ZXMS6005DT8TA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005N8-13 SO-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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