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ZXMS6005N8-13
器件3D模型
0.336
ZXMS6005N8-13 数据手册 (8 页)
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ZXMS6005N8-13 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
8 Pin
封装
SOIC-8
输出接口数
1 Output
输出电流
2 A
极性
N-CH
功耗
1.65 W
漏源极电压(Vds)
60 V
输入电压(Max)
5.5 V
输入电压(Min)
0 V
输出电流(Max)
2.8 A
输入数
1 Input
下降时间
19 µs
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1650 mW
输入电压
5.5 V

ZXMS6005N8-13 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TA)

ZXMS6005N8-13 数据手册

Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte

ZXMS6005 数据手册

Diodes(美台)
ZXMS6005SGTA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005DGTA SOT-223-3
Diodes(美台)
ZXMS6005DT8TA 编带
Diodes(美台)
功率电子开关 ZXMS6005N8-13 SO-8
Diodes(美台)
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
双 N 通道 MOSFET,Diodes Inc.### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes Zetex(捷特科)
IntelliFET 自保护 MOSFET,Diodes IncIntelliFET 是自保护型 MOSFET,集成了完整保护电路,可防止 ESD(静电敏感设备)、过电流、过电压和过温条件。短路保护,具有自动重启 过压保护(有源箝位) 过电流保护 输入保护 (ESD) 高连续电流额定值 负载突卸保护 逻辑电平输入 ### MOSFET 晶体管,Diodes Inc.
Diodes(美台)
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