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ZXTN25012EFHTA
0.097
ZXTN25012EFHTA 数据手册 (7 页)
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ZXTN25012EFHTA 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
260 MHz
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定功率
1.25 W
极性
NPN
功耗
1.81 W
击穿电压(集电极-发射极)
12 V
集电极最大允许电流
6A
最小电流放大倍数
500 @10mA, 2V
额定功率(Max)
1.25 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
1810 mW

ZXTN25012EFHTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

ZXTN25012EFHTA 数据手册

Diodes(美台)
7 页 / 0.41 MByte
Diodes(美台)
199 页 / 0.86 MByte
Diodes(美台)
7 页 / 0.35 MByte
Diodes(美台)
1 页 / 0.15 MByte

ZXTN25012 数据手册

Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HG Trans.
Diodes(美台)
三极管(BJT) ZXTN25012EFHTA SOT-23
Diodes(美台)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 12V HIGH GAIN
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,超过 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Diodes Zetex(捷特科)
NPN 晶体管,高达 1.5A,Diodes Inc### 双极晶体管,Diodes Inc### 晶体管,Diodes Inc
Vishay Semiconductor(威世)
DIODES INC.  ZXTN25012EFLT  单晶体管 双极, 高增益, NPN, 12 V, 260 MHz, 350 mW, 5 A, 800 hFE
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