BSS84TA 开发手册 - Zetex

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS84  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

P沟道增强型垂直DMOS晶体管 P-channel enhancement mode vertical DMOS transistor

SOT-23 P沟道 Ciss=73pF

BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流

BSS84 P沟道MOS场效应管 -60V -130mA 1.2ohm SOT-23 marking/标记 SP 小信号开关 高饱和电流