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BSZ110N06NS3 G 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TSDSON-8

描述:

INFINEON BSZ110N06NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

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BSZ110N06NS3 G 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.44 MByte

BSZ110N06NS3 G 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSZ110N06NS3 G 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

BSZ110N06NS3 G 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSZ110N06NS3 G 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSZ110N06NS3 数据手册

BSZ110N06NS3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON BSZ110N06NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

BSZ110N06NS3 G 数据手册

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INFINEON BSZ110N06NS3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 60 V, 0.009 ohm, 10 V, 3 V

BSZ110N06NS3G 数据手册

Infineon（英飞凌）

60V,11mΩ,20A,N沟道功率MOSFET

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