FP35R12KT4_B11 开发手册 - Infineon（英飞凌）

EconoPIM2模块海沟/场终止IGBT 4和EmCon4二极管 EconoPIM2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and EmCon4 diode

IGBT 模块，Infineon **Infineon 封装类型包括：62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM IGBT 分立件和模块，Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

EconoPIM ™ 2模块海沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管4 EconoPIM™2 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 35 A, 1.85 V, 210 W, 1.2 kV, Module

Infineon FP35R12KT4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 23引脚 ECONO2封装