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IPB016N06L3GATMA1 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-7

描述:

IPB016N06L3 系列 60 V 1.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-7

Pictures:

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IPB016N06L3GATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.64 MByte

IPB016N06L3GATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

IPB016N06L3GATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

30 页 / 0.64 MByte

IPB016N06L3GATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

IPB016N06L3 数据手册

Infineon（英飞凌）

IPB016N06L3GATMA1 数据手册

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IPB016N06L3 系列 60 V 1.6 mOhm N沟道 OptiMOS™3 功率-晶体管 - PG-TO-263-7

IPB016N06L3 G 数据手册

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Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀

IPB016N06L3G 数据手册

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60V,180A,N沟道功率MOSFET

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