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IPD25N06S4L30ATMA2 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.7 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

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原理图在P15P27P29

功能描述在P14P15P16P18P20P22P25P26P28P29P34P36

应用领域在P3P4P6P7P8P9P10P11P12P13P14P15

型号编号列表在P14P16

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IPD25N06S4L30ATMA2 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.22 MByte

IPD25N06S4L30ATMA2 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD25N06S4L30ATMA2 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

28 页 / 4.06 MByte

IPD25N06S4L30ATMA2 开发手册

Infineon（英飞凌）

56 页 / 6.94 MByte

IPD25N06S4L30 数据手册

IPD25N06S4L-30 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon OptiMOS™ T2 功率 MOSFETInfineon 新的 OptiMOS ™ -T2 具有一系列节能 MOSFET 晶体管，可减少 CO2 并采用电力驱动。新的 OptiMOS™ -T2 产品系列扩展了现有的 OptiMOS™ -T 和 OptiMOS™ 系列。 OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 AEC 合格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度绿色产品（符合 RoHS 标准）

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Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 60 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.7 V

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