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IPD35N10S3L26ATMA1 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD35N10S3L26ATMA1 晶体管, MOSFET, AEC-Q101, N沟道, 35 A, 100 V, 0.02 ohm, 10 V, 1.7 V

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原理图在P15P27P29

功能描述在P14P15P16P18P20P22P25P26P28P29P34P36

应用领域在P3P4P6P7P8P9P10P11P12P13P14P15

型号编号列表在P14P16

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IPD35N10S3L26ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

9 页 / 0.17 MByte

IPD35N10S3L26ATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

138 页 / 12.05 MByte

IPD35N10S3L26ATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

IPD35N10S3L26ATMA1 开发手册

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IPD35N10S3L26ATMA1 产品修订记录

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IPD35N10S3L26 数据手册

IPD35N10S3L-26 数据手册

Infineon（英飞凌）

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