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IPD80R1K0CEATMA1 开发手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IPD80R1K0CEATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

15 页 / 2.26 MByte

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

Infineon（英飞凌）

52 页 / 3.25 MByte

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

Infineon（英飞凌）

INFINEON IPD80R1K0CEATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新

Infineon（英飞凌）

800V,950mΩ,5.7A,N沟道功率MOSFET

Infineon（英飞凌）

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