IRL40SC228 开发手册 - Infineon（英飞凌）

INFINEON  IRL40S212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

INFINEON  IRL40B212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

INFINEON  IRL40B215  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0022 ohm, 10 V, 2.4 V 新

晶体管, MOSFET, N沟道, 360 A, 40 V, 500 µohm, 10 V, 2.4 V

晶体管, MOSFET, N沟道, 478 A, 40 V, 0.0006 ohm, 10 V, 2.4 V