MMBT5551LT3 开发手册 - ON Semiconductor（安森美）

MMBT5551 G1 L档100-200 编带

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBT5551  单晶体管 双极, NPN, 160 V, 100 MHz, 350 mW, 600 mA, 250 hFE

高电压晶体管 High Voltage Transistors

二极管与整流器

NPN三极管 集电极电流Ic(Max)：600mA 功率：300mW 集射极击穿电压Vce(Max)：160V 封装;SOT-23