NDS355AN 开发手册 - ON Semiconductor（安森美）

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  NDS355AN  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 30 V, 0.065 ohm, 10 V, 1.6 V

N沟道 30 V 0.085 Ohm 逻辑电平 增强模式 场效应晶体管-SSOT-3

N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

NDS355N 编带