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RSQ035N03FS 开发手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

SOT-163

描述:

4V驱动N沟道MOS FET特点1）低导通电阻。2）节省空间，小的表面贴装封装。应用开关

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RSQ035N03FS 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

3 页 / 0.04 MByte

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

RSQ035N03 N沟道MOSFET 30V 3.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QN 低导通电阻/高速开关/低阈值

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM RSQ035N03FRATR 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 30 V, 0.044 ohm, 10 V, 2.5 V 新

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4V驱动N沟道MOS FET特点1）低导通电阻。2）节省空间，小的表面贴装封装。应用开关

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