SCT30N120 开发手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS  SCT30N120  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.6 V

SCT3030AL 系列 650 V 70 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3080KL 系列 1200 V 31 A 104 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3040KL 系列 1200 V 55 A 52 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3030KL 系列 1200 V 72 A 39 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3060AL 系列 650 V 39 A 78 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3022AL 系列 650 V 93 A 28.6 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

碳化硅功率MOSFET, N沟道, 30 A, 650 V, 0.08欧姆, 18V, 5.6 V