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STP50N06FI 开发手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

晶体管

封装:

ISOWATT-220

描述:

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STP50N06FI 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.19 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

10 页 / 0.4 MByte

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

ST Microelectronics（意法半导体）

N - 沟道增强模式低阈值功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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