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1SMA36AT3
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1SMA36AT3 数据手册 (6 页)
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1SMA36AT3 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
DO-214AC
最大反向电压(Vrrm)
36V
脉冲峰值功率
400 W
最小反向击穿电压
40 V

1SMA36AT3 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

1SMA36AT3 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
6 页 / 0.05 MByte
ON Semiconductor(安森美)
22 页 / 0.07 MByte

1SMA36 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR  1SMA36CAT3G  TVS Diode, 1SMA Series, Bidirectional, 36 V, 58.1 V, DO-214AC, 2 Pins 新
ON Semiconductor(安森美)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。 ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
ON Semiconductor(安森美)
1SMA36CAT3 瞬态抑制二极管TVS/ESD 36V 6.9A 1.5W DO-214AC/SMA-36V 标记RTY
ON Semiconductor(安森美)
400瓦峰值功率齐纳瞬态电压抑制器 400 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors
Littelfuse(力特)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(单向)齐纳瞬态电压抑制器的 ON Semiconductor SMA 系列设计用于保护电压敏感元件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力,具有 400W 高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。SMA 系列设计用于保护电压敏感组件抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Littelfuse(力特)
400W 齐纳瞬态电压抑制器(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
Motorola(摩托罗拉)
Littelfuse(力特)
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