Vishay Semiconductor（威世）
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Vishay Semiconductor（威世）
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VISHAY（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.446 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.446 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.446 V at IF = 5 A
VISHAY（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.50 V在IF = 5 A High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.50 V at IF = 5 A
Vishay Semiconductor（威世）
双高压Trench MOS势垒肖特基整流器超低VF = 0.54 V在IF = 5 A Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.54 V at IF = 5 A
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