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Datasheet 搜索 > Vishay Dale(威世达勒) > 20108D1X102K5P Datasheet 文档
20108D1X102K5P
9.332

20108D1X102K5P 技术参数、封装参数

类型
描述
电容
0.001 µF
容差
10 %
封装
SIP-8
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
50 V

20108D1X102K5P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
材质
Ceramic
长度
20.32 mm
宽度
3.43 mm
高度
7.62 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃

20108D1X102K5P 数据手册

Vishay Dale(威世达勒)
4 页 / 0.1 MByte
Vishay Dale(威世达勒)
3 页 / 0.09 MByte

20108D1X102K5 数据手册

VISHAY(威世)
201 系列 1000 pF X7R ±10 % 厚膜 电容 网络 - SIP-8
Vishay Dale(威世达勒)
电容器阵列与网络 1000pF 8p/7caps 10%
Vishay Semiconductor(威世)
201 系列 1000 pF X7R ±10 % 厚膜 电容 网络 - SIP-8
VISHAY(威世)
Vishay Semiconductor(威世)
Vishay Dale(威世达勒)
Vishay Intertechnology
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