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SI3443CDV-T1-GE3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

TSOT-23-6

描述:

单 P沟道 20 V 0.06 Ohms 表面贴装功率Mosfet - TSOP-6

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI3443CDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

封装尺寸在7 页

SI3443CDV-T1-GE3 数据手册 (11 页)

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SI3443CDV-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

TSOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.05 Ω

极性

P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1.5 V

漏源极电压(Vds)

20 V

连续漏极电流(Ids)

-4.70 A, 3.90 A

上升时间

59 ns

输入电容值(Ciss)

610pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

3.2 W

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI3443CDV-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI3443CDV-T1-GE3 符合标准

SI3443CDV-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

11 页 / 0.23 MByte

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11 页 / 0.2 MByte

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