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AFGB40T65SQDN
2.751
AFGB40T65SQDN 数据手册
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AFGB40T65SQDN 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
针脚数
3 Position
功耗
238 W
击穿电压(集电极-发射极)
650 V
反向恢复时间
131 ns
额定功率(Max)
238 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
238000 mW

AFGB40T65SQDN 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

AFGB40T65SQDN 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
9 页 / 0.25 MByte

AFGB40T65 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
单晶体管, IGBT, 80 A, 1.6 V, 238 W, 650 V, TO-263, 3 引脚
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