￥ 2.051

FDMC86012 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

封装:

483AW

描述:

FDMC86012: N 沟道，Power Trench? MOSFET，30V，88A，2.7mΩ

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

FDMC86012 数据手册

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FDMC86012 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

8 Pin

封装

483AW

功耗

2.3 W

上升时间

11 ns

输入电容值(Ciss)

3625pF @15V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2300 mW

FDMC86012 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃

FDMC86012 符合标准

FDMC86012 概述

FDMC86012 数据手册

FDMC86012 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

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