器件3D模型

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AP4501GM-HF-3TR 数据手册 - Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

制造商:

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

分类:

MOS管

封装:

SOIC

描述:

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP4501GM-HF-3TR 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V

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3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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AP4501GM-HF-3TR 数据手册 (1 页)

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AP4501GM-HF-3TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC

额定功率

2 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.028 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

功耗

2 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

7A/5.3A

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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AP4501GM-HF-3TR 符合标准

AP4501GM-HF-3TR 数据手册

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

1 页 / 0.71 MByte

AP4501GM-HF-3TR 产品封装文件

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

8 页 / 0.15 MByte

AP4501GMHF3 数据手册

AP4501GM-HF-3TR 数据手册

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ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP4501GM-HF-3TR 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.028 ohm, 10 V, 1 V

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