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APT10086SVRG
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APT10086SVRG 数据手册 (5 页)
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APT10086SVRG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
13.0 A
封装
TO-268
极性
N-CH
输入电容
4.44 nF
栅电荷
275 nC
漏源极电压(Vds)
1.00 kV
连续漏极电流(Ids)
13.0 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
3700pF @25V(Vds)
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
370000 mW

APT10086SVRG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube, Rail

APT10086SVRG 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.22 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.23 MByte

APT10086 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
APT10086BVFR: 1000 V 13 A 0.86 Ohm N-沟道 功率 Mosfet - TO-247-3
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 13A
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