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STB120NF10
0.719
STB120NF10 数据手册 (11 页)
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STB120NF10 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
100 V
连续漏极电流(Ids)
110A

STB120NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STB120NF10 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
11 页 / 0.28 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
18 页 / 0.92 MByte

STB120 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB120NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB120N4LF6  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ F6,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道100V - 0.009OHM - 110A - TO- 247 - TO- 220 - D2PAK STripFET2功率MOSFET N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
TE Connectivity(泰科)
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
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