￥ 106.893

APTGT300DU60G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SP-6

描述:

双共源沟道+场截止IGBT功率模块 Dual common source Trench + Field Stop IGBT Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTGT300DU60G 数据手册 (5 页)

封装尺寸在3 页

APTGT300DU60G 数据手册 (5 页)

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APTGT300DU60G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

7 Pin

封装

SP-6

功耗

1.15 kW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

24nF @25V

额定功率(Max)

1150 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

1150000 mW

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APTGT300DU60G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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APTGT300DU60G 符合标准

APTGT300DU60G 数据手册

Microsemi（美高森美）

5 页 / 0.23 MByte

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6 页 / 0.41 MByte

APTGT300DU60G 产品手册

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