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IXYN82N120C3H1 数据手册 - IXYS Semiconductor

制造商:

IXYS Semiconductor

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

GenX3™ XPT™ IGBT 1200 V 105 A 底座安装高速 IGBT - SOT-227B

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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IXYN82N120C3H1 数据手册 (7 页)

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IXYN82N120C3H1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

功耗

500 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

4060pF @25V

额定功率(Max)

500 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 W

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IXYN82N120C3H1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.23 mm

宽度

25.07 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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IXYN82N120C3H1 符合标准

IXYN82N120C3H1 海关信息

IXYN82N120C3H1 概述

IXYN82N120C3H1 数据手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.18 MByte

IXYN82N120C3H1 其他数据使用手册

IXYS Semiconductor

7 页 / 0.18 MByte

IXYN82N120C3 数据手册

IXYS Semiconductor

IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCE(sat) 方形反向偏置安全工作区域 (RBSOA) 高达额定击穿电压短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

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