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ATF-33143-BLKG
1.835
ATF-33143-BLKG 数据手册 (17 页)
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ATF-33143-BLKG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
2 GHz
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
5.50 V
额定电流
305 mA
封装
SOT-343
针脚数
4 Position
功耗
600 mW
漏源极电压(Vds)
5.5 V
连续漏极电流(Ids)
305 mA
输出功率
22 dBm
增益
15 dB
测试电流
80 mA
工作温度(Max)
160 ℃
耗散功率(Max)
600 mW
额定电压
5.5 V

ATF-33143-BLKG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
长度
2.25 mm
宽度
1.35 mm
高度
1 mm

ATF-33143-BLKG 数据手册

Broadcom(博通)
17 页 / 0.39 MByte
Broadcom(博通)
18 页 / 0.5 MByte

ATF33143 数据手册

Broadcom(博通)
AVAGO Technologies(安华高科)
AVAGO Technologies(安华高科)
AVAGO Technologies(安华高科)
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 Transistor GaAs Low Noise
Broadcom(博通)
BROADCOM LIMITED  ATF-33143-BLKG  晶体管, 射频FET, 高线性度, 5.5 V, 305 mA, 600 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
AVAGO Technologies(安华高科)
Broadcom(博通)
Broadcom(博通)
Broadcom(博通)
N 通道 HEMT,Avago Technologies 高电子迁移率晶体管(HEMT,也称为异质结构或异质结 FET)是结型 FET,利用两种材料,具有不同带隙(即异质结),用作 MOSFET 中替换掺杂区的通道。 HEMT 晶体管具有良好的高频率特性且通常用于小信号、低噪声 RF 应用。 HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此类型晶体管的所有术语。 pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶体管类型的变型,具有 E-pHEMT 设备,正成为增强模式类型。 JFET 晶体管 一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。
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