FMA9 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) | -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -50V 集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) | -100MA 基极输入电阻R1 Input Resistance(R1) | 10KΩ 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2) | 10 KΩ 基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2) | 1 直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) | 100~600 截止频率fT Transtion Frequency(fT) | 250MHZ 耗散功率Pc Power Dissipation | 0.3W 描述与应用 Description & Applications | 　发射器常见(双重数字晶体管) 　　1)两个DTA114E 。 　　2)安装成本和区域可以减少一半。 技术文档PDF下载 | 在线阅读