￥ 0.28

BD676AS 数据手册 - Fairchild（飞兆/仙童）

制造商:

Fairchild（飞兆/仙童）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-126-3

描述:

达林顿晶体管 PNP Epitaxial Sil

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

BD676AS 数据手册 (4 页)

封装尺寸在3 页

BD676AS 数据手册 (4 页)

查看文档

或点击图片查看大图

BD676AS 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-45.0 V

额定电流

-4.00 A

封装

TO-126-3

额定功率

14 W

极性

PNP

功耗

14 W

击穿电压(集电极-发射极)

45 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

750 @2A, 3V

额定功率(Max)

14 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

14000 mW

查看数据手册 >

BD676AS 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

8 mm

宽度

3.25 mm

高度

11.2 mm

工作温度

150℃ (TJ)

查看数据手册 >

BD676AS 符合标准

BD676AS 海关信息

BD676AS 数据手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.04 MByte

BD676AS 其他数据使用手册

Fairchild（飞兆/仙童）

6 页 / 0.13 MByte

BD676AS 开发手册

Fairchild（飞兆/仙童）

4 页 / 0.07 MByte

BD676 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

BD676 数据手册

Central Semiconductor

Continental Device

Samsung（三星）

Motorola（摩托罗拉）

ST Microelectronics（意法半导体）

BD676 数据手册

TI（德州仪器）

BD676 数据手册

National Semiconductor（美国国家半导体）

BD676 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

BD676 数据手册

Infineon（英飞凌）

NPN硅达林顿晶体管 NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTORS

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号