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BFP640E6327XT
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BFP640E6327XT 数据手册 (29 页)
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BFP640E6327XT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
4.50 V
额定电流
50.0 mA
封装
SOT-343
功耗
200 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
200 mW

BFP640E6327XT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.9 mm

BFP640E6327XT 数据手册

Infineon(英飞凌)
29 页 / 1.1 MByte
Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.14 MByte

BFP640E6327 数据手册

Infineon(英飞凌)
NPN硅锗RF晶体管 NPN Silicon Germanium RF Transistor
Infineon(英飞凌)
射频(RF)双极晶体管 GP BJT NPN 4V 0.05A NPN 4V 0.05A
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
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