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器件3D模型
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IS42S32800D-7BI 数据手册 - Integrated Silicon Solution(ISSI)
制造商:
Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类:
RAM芯片
封装:
BGA-90
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
IS42S32800D-7BI 数据手册 (60 页)
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IS42S32800D-7BI 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
BGA-90
存取时间
7 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
40 ℃
电源电压
3V ~ 3.6V
电源电压(Max)
3.6 V
电源电压(Min)
3 V
查看数据手册 >
IS42S32800D-7BI 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tray
长度
13 mm
宽度
8 mm
高度
1.05 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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IS42S32800D-7BI 数据手册
IS42S32800D-7BI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
60 页 / 0.81 MByte
IS42S32800D-7BI
产品设计参考手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
1 页 / 0.03 MByte
IS42S32800D7 数据手册
IS42S32800D-7BLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7BLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 90BGA
IS42S32800D-7TLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) IS42S32800D-7TLI 存储芯片, SDRAM, IND, 8M X 32, 3V, 86TSOP2
IS42S32800D-7TL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
RAM, ISSI**ISSI** **SDR SDRAM** 系列提供同步接口,具有可编程 CAS 等待时间(2/3 时钟)。 可使用管道流程实现高速数据传输,且同步 DRAM SDR 系列可提供脉冲读/写功能,且脉冲读/单写入使其特别适用于计算机应用。 **ISSI** SDR SDRAM 设备提供不同的组织和存储器大小系列,工作电源为 3.3V。 LVTTL 接口 有关输入/输出信号,请参考时钟输入的上升边缘 可编程脉冲序列:连续/交错;可编程脉冲长度 每个时钟周期的随机列地址 自刷新和自动刷新模式 ### 动态 RAM
IS42S32800D-7BL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S32800D-75EBLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S32800D-75EBI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
IS42S32800D-75EBL
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V
IS42S32800D-7B
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
动态随机存取存储器 256M (8Mx32) 143MHz S动态随机存取存储器, 3.3v
IS42S32800D-75ETLI
数据手册
Integrated Silicon Solution(ISSI)
IS42S32800D-7BI
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