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BSC009NE2LS5I
0.731
BSC009NE2LS5I 数据手册 (14 页)
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BSC009NE2LS5I 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SuperSO-8
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
25 V
漏源击穿电压
25 V
连续漏极电流(Ids)
40A
工作温度(Min)
-55.0 ℃

BSC009NE2LS5I 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

BSC009NE2LS5I 数据手册

Infineon(英飞凌)
14 页 / 1.45 MByte
Infineon(英飞凌)
270 页 / 11.59 MByte
Infineon(英飞凌)
66 页 / 6.48 MByte
Infineon(英飞凌)
37 页 / 2.01 MByte

BSC009NE2LS5 数据手册

Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSC009NE2LS5 TDSON-8-EP(5x6)
Infineon(英飞凌)
BSC009NE2LS5 编带
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
N沟道 25V 40A
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