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BSC009NE2LSXT
0.955
BSC009NE2LSXT 数据手册 (10 页)
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BSC009NE2LSXT 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
TDSON-8
极性
N-CH
阈值电压
1V ~ 2.2V
漏源极电压(Vds)
25 V
连续漏极电流(Ids)
41A

BSC009NE2LSXT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Tape & Reel (TR)

BSC009NE2LSXT 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.71 MByte

BSC009NE2 数据手册

Infineon(英飞凌)
BSC009NE2LS5 编带
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC009NE2LSATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00075 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSC009NE2LS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 25 V, 0.00075 ohm, 10 V, 2.2 V
Infineon(英飞凌)
N沟道 25V 40A
Infineon(英飞凌)
场效应管(MOSFET) BSC009NE2LS5 TDSON-8-EP(5x6)
Infineon(英飞凌)
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