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BSC080N03MSGATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

PG-TDSON-8

描述:

Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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BSC080N03MSGATMA1 数据手册 (10 页)

封装尺寸在8 页 9 页

BSC080N03MSGATMA1 数据手册 (10 页)

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BSC080N03MSGATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TDSON-8

额定功率

35 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0067 Ω

极性

N-Channel

功耗

35 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

13A

上升时间

5.4 ns

输入电容值(Ciss)

1600pF @15V(Vds)

下降时间

5.6 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5W (Ta), 35W (Tc)

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BSC080N03MSGATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

5.35 mm

宽度

6.1 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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BSC080N03MSGATMA1 符合标准

BSC080N03MSGATMA1 概述

BSC080N03MSGATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

10 页 / 0.51 MByte

BSC080N03MSGATMA1 产品设计参考手册

Infineon（英飞凌）

270 页 / 11.59 MByte

BSC080N03MSGATMA1 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

40 页 / 0.46 MByte

BSC080N03MSGATMA1 开发手册

Infineon（英飞凌）

37 页 / 2.01 MByte

BSC080N03MSGATMA1 产品修订记录

Infineon（英飞凌）

7 页 / 0.07 MByte

BSC080N03 数据手册

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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MSGATMA1, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装

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INFINEON BSC080N03LSGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V

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INFINEON BSC080N03LS G 晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 30 V, 0.0067 ohm, 10 V, 2.2 V

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