￥ 0.073

SI1012CR-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SC-75

描述:

VISHAY SI1012CR-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 630 mA, 20 V, 0.33 ohm, 4.5 V, 400 mV

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI1012CR-T1-GE3 数据手册 (8 页)

封装尺寸在6 页

SI1012CR-T1-GE3 数据手册 (8 页)

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SI1012CR-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SC-75

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.33 Ω

极性

N-Channel

功耗

240 mW

阈值电压

400 mV

漏源极电压(Vds)

20 V

上升时间

16 ns

输入电容值(Ciss)

43pF @10V(Vds)

下降时间

11 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

0.24 W

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SI1012CR-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.68 mm

宽度

0.86 mm

高度

0.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI1012CR-T1-GE3 符合标准

SI1012CR-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

8 页 / 0.16 MByte

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