BSC096N10LS5ATMA1

￥ 0.734

BSC096N10LS5ATMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

封装:

TDSON

描述:

功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 40 A, 0.008 ohm, TDSON, 表面安装

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

BSC096N10LS5ATMA1 数据手册

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BSC096N10LS5ATMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

TDSON

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.008 Ω

功耗

83 W

阈值电压

1.7 V

漏源极电压(Vds)

100 V

上升时间

3.5 ns

输入电容值(Ciss)

1600pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

BSC096N10LS5ATMA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

BSC096N10LS5ATMA1 符合标准

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