￥ 134.508

F423MR12W1M1B11BOMA1 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

描述:

晶体管, MOSFET, 四N通道, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, 15 V, 4.5 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

暂未收录 F423MR12W1M1B11BOMA1 的数据手册

登录以发送补充文档请求

F423MR12W1M1B11BOMA1 技术参数、封装参数

类型

描述

漏源极电阻

0.0225 Ω

阈值电压

4.5 V

漏源极电压(Vds)

1.2 kV

上升时间

8.4 ns

输入电容值(Ciss)

3680pF @800V(Vds)

下降时间

11.5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

Infineon（英飞凌）

2 页 / 0.07 MByte

Infineon（英飞凌）

晶体管, MOSFET, 四N通道, 50 A, 1.2 kV, 0.0225 ohm, 15 V, 4.5 V

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

热门型号