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Datasheet 搜索 > Infineon(英飞凌) > BSM100GB120DN2KHOSA1 Datasheet 文档
BSM100GB120DN2KHOSA1
137.757

BSM100GB120DN2KHOSA1 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
7 Pin
封装
34MM-1
功耗
700000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
1200 V
输入电容值(Cies)
6.5nF @25V
额定功率(Max)
700 W
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
700000 mW

BSM100GB120DN2KHOSA1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Not For New Designs
工作温度
150℃ (TJ)

BSM100GB120DN2KHOSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
10 页 / 0.21 MByte
Infineon(英飞凌)
3 页 / 0.12 MByte

BSM100GB120DN2 数据手册

Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Siemens Semiconductor(西门子)
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
IGBT功率模块(半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板) IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)
Infineon(英飞凌)
Siemens Semiconductor(西门子)
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