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VJ0805A222JNAAT
器件3D模型
0.231
VJ0805A222JNAAT 数据手册 (4 页)
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VJ0805A222JNAAT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
50.0 V
电容
2200 pF
容差
±5 %
封装(公制)
2012
封装
0805
电介质特性
C0G/NP0
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
50 V

VJ0805A222JNAAT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
包装方式
Cut Tape (CT)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1.45 mm
工作温度
-55℃ ~ 125℃
温度系数
±30 ppm/℃

VJ0805A222JNAAT 数据手册

Vishay Semiconductor(威世)
4 页 / 0.08 MByte
Vishay Semiconductor(威世)
17 页 / 0.17 MByte

VJ0805A222 数据手册

VISHAY(威世)
VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G (NPO) 和 X7R 电介质选项,VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 (NME) 系统 极佳的耐老化特性这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用,还适用于计时和谐调电路。### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 (NiSn) 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。
VISHAY(威世)
VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G (NPO) 和 X7R 电介质选项,VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 (NME) 系统 极佳的耐老化特性这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用,还适用于计时和谐调电路。### 0805 系列镍挡层端接外覆镀锡 (NiSn) 层。应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是最受欢迎的“温度补偿”方案,EIA I 级陶瓷材料、X7R、X5R 方案称为“温度稳定”陶瓷且使用 EIA II 级材料;Y5V、Z5U 方案通用于有限温度范围,EIA II 级材料;这些特性十分适用于去耦应用。
Vishay Semiconductor(威世)
VJ0805 系列Vishay VJ 系列陶瓷电容器提供各种电容值、外壳尺寸和电压额定值。 此系列提供 C0G (NPO) 和 X7R 电介质选项,VJ 陶瓷电容器可适用于各种应用。 C0G 型号超稳定且为您提供极低的电容温度系数。### 产品应用信息湿法构建过程 可靠的贵金属电极 (NME) 系统 极佳的耐老化特性 这些陶瓷电容器的合适应用包括浪涌抑制、过滤和去耦。 VJ 系列陶瓷电容器特别适用于传感器和扫描仪应用,还适用于计时和谐调电路。 ### 0805 系列镍挡板终端覆镀锡 (NiSn) 层,应用包括移动电话、视频和调谐器设计,COG/NPO 是“温度补偿”的最常见配方,为 EIA I 类陶瓷材料,X7R、X5R 配方称为“温度稳定”陶瓷,属于 EIA II 类材料,Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。Y5V、Z5U 配方适合有限温度范围内的一般用途,属于 EIA II 类材料;这些特征非常适合退耦应用。
Vishay Vitramon
多层陶瓷电容器MLCC - SMD/SMT 0805 2200pF 50volts C0G 5%
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