器件3D模型

￥ 0.885

CSD13302WT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

DSBGA-4

描述:

12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.0x1.0、17.1mΩ 4-DSBGA -55 to 150

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD13302WT 数据手册 (15 页)

引脚图在8 页Hot

封装尺寸在8 页 10 页 12 页 13 页

CSD13302WT 数据手册 (15 页)

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CSD13302WT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

4 Pin

封装

DSBGA-4

通道数

1 Channel

漏源极电阻

17.1 mΩ

极性

N-CH

功耗

1.8 W

阈值电压

700 mV

漏源极电压(Vds)

12 V

漏源击穿电压

12 V

连续漏极电流(Ids)

1.6A

上升时间

7 ns

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

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CSD13302WT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1 mm

宽度

1 mm

高度

0.62 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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CSD13302WT 符合标准

CSD13302WT 概述

CSD13302WT 数据手册

TI（德州仪器）

15 页 / 1.07 MByte

CSD13302WT 其他数据使用手册

TI（德州仪器）

4 页 / 3.18 MByte

CSD13302WT 产品修订记录

TI（德州仪器）

10 页 / 0.32 MByte

CSD13302 数据手册

CSD13302W 数据手册

TI（德州仪器）

CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD13302WT 数据手册

TI（德州仪器）

12V、N 沟道 NexFET MOSFET™、单路、WLP 1.0x1.0、17.1mΩ 4-DSBGA -55 to 150

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