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FDMT800120DC
器件3D模型
2.766
FDMT800120DC 数据手册 (8 页)
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FDMT800120DC 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
PQFN-8
极性
N-CH
功耗
3.2W (Ta), 156W (Tc)
漏源极电压(Vds)
120 V
连续漏极电流(Ids)
20A
输入电容值(Ciss)
7850pF @60V(Vds)
耗散功率(Max)
3.2W (Ta), 156W (Tc)

FDMT800120DC 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

FDMT800120DC 数据手册

Fairchild(飞兆/仙童)
8 页 / 0.35 MByte

FDMT800120 数据手册

ON Semiconductor(安森美)
晶体管, MOSFET, N沟道, 128 A, 120 V, 0.00345 ohm, 10 V, 3.1 V
Fairchild(飞兆/仙童)
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