￥ 1.038

CSD87501LT 数据手册 - TI（德州仪器）

制造商:

TI（德州仪器）

分类:

MOS管

封装:

XFBGA-10

描述:

TEXAS INSTRUMENTS CSD87501LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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CSD87501LT 数据手册 (12 页)

封装尺寸在8 页 10 页

CSD87501LT 数据手册 (12 页)

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CSD87501LT 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

10 Pin

封装

XFBGA-10

针脚数

10 Position

漏源极电阻

0.0066 Ω

极性

Dual N-Channel

功耗

2.5 W

阈值电压

1.8 V

漏源极电压(Vds)

30 V

连续漏极电流(Ids)

14A

上升时间

260 ns

输入电容值(Ciss)

1620 pF

额定功率(Max)

2.5 W

下降时间

712 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.5 W

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CSD87501LT 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

1.52 mm

宽度

3.42 mm

高度

0.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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CSD87501LT 符合标准

CSD87501LT 概述

CSD87501LT 数据手册

TI（德州仪器）

12 页 / 0.89 MByte

CSD87501 数据手册

CSD87501L 数据手册

TI（德州仪器）

CSD87501L 30V 双路 N 通道共漏极 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD87501LT 数据手册

TI（德州仪器）

TEXAS INSTRUMENTS CSD87501LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 14 A, 30 V, 0.0066 ohm, 10 V, 1.8 V

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