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器件3D模型
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STGB30H60DLLFBAG 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
封装:
TO-263-3
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STGB30H60DLLFBAG 数据手册 (17 页)
封装尺寸
在
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STGB30H60DLLFBAG 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
TO-263-3
功耗
260000 mW
击穿电压(集电极-发射极)
600 V
额定功率(Max)
260 W
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
260000 mW
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STGB30H60DLLFBAG 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STGB30H60DLLFBAG 符合标准
STGB30H60DLLFBAG 概述
●
IGBT 沟槽型场截止 表面贴装型 D2PAK
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